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还在为系统运行卡顿、数据吞吐瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8CY-5B AIT:J为您注入强劲的“记忆”动能！这颗512Mb DDR SDRAM芯片，拥有200MHz的高时钟频率和仅700ps的超快访问时间，能轻松应对您对高速数据读写的一切严苛要求，让您的应用程序运行如飞。

它采用高效的64M x 8并行接口和2.5V~2.7V低电压设计，在为您提供宽阔数据带宽的同时，也助力实现更优的能效控制。其宽达-40°C至85°C的工作温度范围，确保了在各种复杂环境下依然稳定可靠。无论是工业控制、网络通信还是汽车电子，选择它，就是为您的产品选择了一个高效、耐用且值得信赖的性能核心。

• 型号:MT46V64M8CY-5B AIT:J
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
• MT46V64M8CY-5B AIT:J，Micron（美光）产品一站式供应商。