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您正在寻找一颗能在严苛环境下依然保持高速、稳定数据存储的核心器件吗？MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的1Gb SLC NAND闪存芯片，采用可靠的并行接口，拥有高达20ns的极速访问与写入周期时间，让您的系统实现高效的数据吞吐，告别等待。

它专为高要求应用设计，宽电压（2.7V~3.6V）支持增强了系统兼容性，而其真正的强大之处在于坚固耐用。符合AEC-Q100标准的汽车级品质，确保它在-40°C至105°C的极端温度范围内稳定工作，轻松应对车载、工业等复杂环境挑战。选择它，就是为您的产品选择了一份持久、可靠的数据存储保障。

• 型号:MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:20ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F1G08ABAFAWP-AAT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。