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您正在寻找一颗能大幅提升系统数据吞吐能力的内存芯片吗？MT46V32M16TG-5B:C TR正是您的高效助手。这颗来自美光科技的512Mb DDR SDRAM，拥有32M x 16的存储架构和高达200MHz的时钟频率，能让您的处理器快速存取数据，轻松应对实时性要求高的计算任务，显著提升整体运行效率。

它采用2.5V~2.7V低电压工作，并具备仅700ps的极快访问时间，在保证强劲性能的同时优化了功耗控制。其标准的并联接口和表面贴装式66-TSSOP封装，让您的电路设计集成更简便，布局更紧凑。无论是用于缓冲、缓存还是主存，它都能让您的设备运行更加流畅稳定。

• 型号:MT46V32M16TG-5B:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:66-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
• 供应商器件封装:66-TSOP
• MT46V32M16TG-5B:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。