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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭海量数据、且无惧环境挑战的存储核心？MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存芯片，拥有高达166MHz的接口速度，能让您的系统实现闪电般的数据读写，彻底告别存储延迟，无论是加载大型应用程序还是持续记录高清流媒体，都流畅无比。

它更是一款为严酷环境而生的“硬汉”。其宽广的-40°C至85°C工作温度范围和2.7V~3.6V的宽电压供电，让您的设备无论是在冰天雪地还是炎炎夏日，亦或是供电波动的复杂工况下，都能保持数据存储的绝对稳定与安全。选择它，就是为您的产品赋予了极致的可靠性与耐用性。

采用紧凑的132-VBGA封装，它非常适合空间受限的嵌入式设计。这颗芯片将让您轻松构建出高性能、高可靠的数据存储系统，是工业控制、汽车电子、网络通信及高端消费电子等应用的理想存储基石。

• 型号:MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。