我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据吞吐速度和存储空间不足而烦恼吗？MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR将彻底改变您的体验。这颗由美光科技打造的384Gb大容量NAND闪存芯片，采用高速并联接口，时钟频率高达333MHz，能为您提供疾风骤雨般的数据读写能力，轻松应对海量信息实时处理的需求。

它让您的产品设计游刃有余。宽达2.5V至3.6V的工作电压范围和0°C ~ 70°C的工业级温度适应性，确保了在各种复杂环境下的高效稳定运行。其表面贴装型132-VBGA封装，更为您节省宝贵的板卡空间，助力实现更紧凑、更强大的产品设计。选择它，就是为您的设备注入一颗强大、可靠的数据心脏。

• 制造商产品型号：MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：384Gb（48G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。