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还在寻找一颗能扛住极端考验、为您的核心数据保驾护航的存储芯片吗？MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E就是您期待的答案。这颗来自美光科技的2Gb并行NAND闪存，拥有256M x 8的存储容量，能以非易失的方式安全保存您的关键信息。

它专为严苛环境设计，宽电压（2.7V-3.6V）与超宽温（-40°C至105°C）支持，让您的设备无论面对车载高温还是工业严寒，都能稳定运行，数据读写始终高效可靠。紧凑的63-VFBGA封装更让您轻松实现高密度板级设计，显著提升产品竞争力。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E，Micron（美光）产品一站式供应商。