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它让您轻松应对严苛环境，其宽温（-40°C ~ 85°C）与宽压（2.7V ~ 3.6V）特性确保了在工业、车载等复杂场景下的超高可靠性。512M x 8的组织结构和并行接口，更能让您的系统实现高效的数据读写，提升整体性能。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而稳健的“数据基石”。

• 型号:MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。