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您正在寻找一颗能扛得住极端温度、经得起时间考验的可靠存储芯片吗？MT29F1G08ABAEAH4-IT:E正是您理想的答案。这颗由美光科技打造的1Gb并行NAND闪存，拥有128M x 8的存储结构，能为您在各种嵌入式应用中提供稳定、非易失的数据存储解决方案。

它能在-40°C到85°C的严苛工业温度范围内稳定工作，并兼容2.7V至3.6V的宽电压供电，让您的产品轻松应对户外、车载或工业环境的挑战。采用紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，帮助您高效利用电路板空间，简化生产流程。选择它，就是为您的设计选择了一份历经验证的耐用性与可靠性。

• 型号:MT29F1G08ABAEAH4-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAEAH4-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。