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还在为寻找一颗能兼顾大容量、高速度与工业级可靠性的存储芯片而烦恼吗？MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR就是您的理想答案。这颗美光科技的32Gb并行NAND闪存，旨在让您的设备数据处理能力脱胎换骨。

它为您提供高达4GB的充足存储空间，并能通过高效的并联接口，以166MHz的时钟频率快速存取数据，显著提升系统响应速度。其宽广的工作电压（2.7V-3.6V）和坚固的工业级温度耐受性（-40°C至85°C），确保您的产品即使在最苛刻的环境中也能稳定运行，让您轻松应对各种挑战。

选择它，就是为您的设计选择了一个经过验证的高性能存储核心。其132-VBGA小型化封装，更便于您实现紧凑高效的电路布局，助力产品快速推向市场。

• 型号:MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。