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还在为嵌入式系统或高端设备的存储瓶颈烦恼吗？让MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR为您带来变革性的体验。这颗美光科技的256Gb NAND闪存芯片，就像一个高速且容量巨大的数字仓库，能轻松存储您的复杂程序、海量媒体文件或关键系统数据。

它采用并联接口，配合83MHz的时钟频率，确保数据读写高效流畅，显著提升系统响应速度。其宽广的2.7V-3.6V工作电压范围和0°C-70°C的工作温度，让您的产品在各种环境下都能稳定可靠地运行。选择它，就是为您的项目选择了经过验证的高性能存储基石。

• 型号:MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-TBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-TBGA
• 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
• MT29F256G08AMEBBH7-12:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。