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还在为设备的数据吞吐能力而烦恼吗？让MT47H64M16BT-5E:A为您带来改变！这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，拥有64M x 16的灵活组织结构和高速并行接口，能以200MHz的时钟频率迅猛工作。它能轻松充当您系统的数据高速缓存区，大幅提升数据处理效率，让您的应用程序运行得更流畅、更迅捷。

更令人安心的是，它能在1.8V左右的标准电压下稳定运行，功耗控制出色，并且适应0°C到85°C的广泛工作温度。无论是嵌入到工业控制器、网络设备还是其他需要可靠记忆体的电子系统中，它都能确保您的重要数据被快速、准确地存取。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的稳定与高效。

• 型号:MT47H64M16BT-5E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:92-FBGA（11x19）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:600 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:92-TFBGA
• 供应商器件封装:92-FBGA（11x19）
• MT47H64M16BT-5E:A，Micron（美光）产品一站式供应商。