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您正在寻找一颗能确保系统快速启动、稳定运行的核心存储芯片吗？M58LT128KSB8ZA6F TR正是您理想的伙伴。这颗美光科技的128Mb并行NOR闪存，拥有高达52MHz的时钟频率和仅85ns的访问/写入时间，能让您的处理器几乎无需等待，高效读取指令与数据，极大提升系统响应速度。

它采用1.7V~2V低电压供电，有助于降低整体系统功耗，同时其宽广的-40°C ~ 85°C工作温度范围，让您的设备无惧严寒酷暑，在工业、汽车等苛刻环境中也能稳定可靠地工作。无论是用于存储关键启动代码、操作系统，还是作为高速数据缓存，它都能以卓越的性能，为您的产品奠定坚实的性能基础。

• 型号:M58LT128KSB8ZA6F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:8M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:85ns
• 访问时间:85 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M58LT128KSB8ZA6F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。