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还在寻找能让您的移动设备“快人一步”的核心动力吗？EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb移动LPDDR2 DRAM，以533MHz的高频和并联接口，为您带来疾速的数据读写体验，轻松应对多任务切换与高清内容加载，彻底告别卡顿。

它更懂得如何为您精打细算。宽电压设计（1.14V~1.95V）在提供强劲性能的同时，显著优化功耗，让您的设备续航更持久。其坚固的134-WFBGA封装和-40°C至125°C的宽温工作能力，确保在各种严苛环境下稳定运行，让您的产品设计无后顾之忧。选择它，就是为您的产品选择了一位高效、可靠的数据处理伙伴。

• 制造商产品型号：EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量：4Gb（128M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：533MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.14V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：134-WFBGA
• EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR，Micron（美光）产品一站式供应商。