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还在为系统数据吞吐速度而烦恼吗？MT49H32M18CSJ-25E IT:B就是您期待的解决方案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，凭借400MHz的高时钟频率和仅15ns的访问时间，能瞬间打通您系统的数据经脉，让海量信息得以高速、流畅地处理，显著提升整体运行效率。

它采用1.8V左右低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，在节省空间与功耗的同时，更能适应-40°C到85°C的宽温环境挑战。无论是工业控制、网络通信还是需要稳定数据缓冲的各类嵌入式设备，它都能让您的设计轻松应对严苛要求，实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:MT49H32M18CSJ-25E IT:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18CSJ-25E IT:B，Micron（美光）产品一站式供应商。