我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT41K512M8RH-125 V:E现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据处理速度跟不上而烦恼吗？MT41K512M8RH-125 V:E正是您期待的解决方案。这颗美光出品的4Gb DDR3L SDRAM芯片，能以高达800MHz的时钟频率疾速运行，同时凭借1.283V~1.45V的低工作电压，显著降低系统整体功耗，让您的设备在高效能与长续航之间找到完美平衡点。

它采用经典的并行接口和512M x 8的架构，为您提供稳定可靠的大容量数据吞吐通道。无论是处理复杂的网络数据包，还是支撑流畅的多媒体应用，它都能轻松应对。其表面贴装的78-TFBGA封装，便于集成，帮助您优化电路板设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的内存核心。

• 型号:MT41K512M8RH-125 V:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 V:E，Micron（美光）产品一站式供应商。