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您正在寻找一颗能扛住恶劣环境、同时保持高效数据吞吐的存储芯片吗？MT47H64M16HW-3 IT:H正是为您这样的需求而生。这颗来自美光科技的1Gb DDR2 SDRAM，拥有-40°C至95°C的宽温工作能力，让您的工业设备、通信装置或汽车电子系统无惧严寒酷暑，稳定运行。其333MHz的时钟频率与快速的访问时间，能轻松应对实时数据处理的挑战。

它采用低至1.7V~1.9V的供电电压，在提供强劲性能的同时有效控制能耗。64M x 16的并行架构和1Gb的总容量，为您的主处理器提供了充裕且高速的数据交换空间。无论是用于缓存关键指令，还是缓冲高速数据流，它都能让您的系统设计更加游刃有余，显著提升整体响应速度与可靠性。

• 型号:MT47H64M16HW-3 IT:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16HW-3 IT:H，Micron（美光）产品一站式供应商。