我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT49H32M18SJ-25:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据处理速度而烦恼吗？让MT49H32M18SJ-25:B TR为您带来改变！这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，拥有32M x 18的存储架构，能以高达400MHz的时钟频率飞速运转，确保您的系统在处理海量数据时依然流畅、高效。

它采用低至1.7V~1.9V的供电设计，有效帮助您降低整体功耗，同时其宽泛的工作温度范围（0°C ~ 95°C）让设备即使在严苛环境下也能稳定可靠。无论是用于工业控制、网络通信还是其他需要快速数据缓冲的应用，这颗芯片都能轻松胜任，成为您提升产品性能的得力助手。

• 型号:MT49H32M18SJ-25:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H32M18SJ-25:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。