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MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR 零件图片(仅供参考)

MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
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MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR 规格参数

还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗?让MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR为您开启高效存储的新纪元。这颗由美光科技打造的384Gb NAND闪存芯片,拥有惊人的48G x 8存储架构,能轻松容纳海量应用数据、高清媒体文件或复杂的系统代码,让您的产品从容应对大数据时代的需求。

它采用高速并联接口,运行时钟频率高达333MHz,能大幅提升数据存取速度,让系统响应更加迅捷。无论是快速启动还是多任务并行处理,都能让用户体验到前所未有的流畅感。其宽电压(2.5V~3.6V)支持和0°C~70°C的工作温度范围,确保了在各种环境下的稳定运行,为您产品的可靠性保驾护航。

采用紧凑的132-VBGA表面贴装封装,这颗芯片能帮助您优化电路板设计,实现更小巧、更集成的产品形态。选择它,就是为您的设备选择了一个强大、可靠且高效的数据心脏,让创新不再受限于存储性能。

  • 型号:MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:384Gb
  • 存储器组织:48G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR 基本参数:

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