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您正在寻找一颗能确保系统快速启动、稳定执行核心代码的“大脑”级存储芯片吗？M58LT256KST7ZA6E正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NOR闪存，能以高达52MHz的速度运行，并提供低至70ns的极速访问时间，让您的处理器无需等待，即刻获取关键指令与数据，极大提升系统响应效率。

它采用先进的1.7V~2V低电压设计，有效降低系统功耗。其宽广的-40°C至85°C工业级工作温度范围，让它能在各种严苛环境中稳定工作，无论是寒冷的户外设备还是高温的汽车引擎舱旁。凭借其非易失特性与可靠的NOR架构，它能确保您的代码在断电后依然安全无损，让您的产品从开机第一刻起就高效、可靠地运行。

• 型号:M58LT256KST7ZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:64-TBGA（10x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:16M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:52 MHz
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 2V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:64-TBGA
• 供应商器件封装:64-TBGA（10x13）
• M58LT256KST7ZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。