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更令人振奋的是，它通过高速并联接口和333MHz的时钟频率，为您带来流畅迅猛的数据吞吐体验。无论是系统启动、文件加载还是实时数据记录，都能显著提速，让您的设备运行如飞。其2.5V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工业级工作温度范围，确保了在各种严苛环境下依然稳定可靠，让您的设计更具韧性和竞争力。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且强大的数据基石。

• 制造商产品型号：MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。