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您正在寻找一颗能同时驾驭高速与低功耗的存储核心吗？MT46H64M16LFCK-6:A TR正是您的理想答案。这颗1Gb移动LPDDR SDRAM芯片，以高达166MHz的时钟频率和仅5ns的访问时间，为您的高速数据处理需求提供澎湃动力，确保系统运行流畅无阻。

更令人心动的是，它在1.7V~1.95V的低电压下工作，显著降低系统整体功耗，让您的设备在性能全开的同时，也能轻松实现更长的续航或更优的能效表现。其坚固的60-VFBGA封装和宽温工作范围，则赋予了产品出色的环境适应性与可靠性。选择它，就是为您的嵌入式设计选择了一个高效、稳定且经久耐用的记忆伙伴。

• 型号:MT46H64M16LFCK-6:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-VFBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:5 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-VFBGA
• 供应商器件封装:60-VFBGA（10x11.5）
• MT46H64M16LFCK-6:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。