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它采用先进的1.8V左右低电压供电和144-TFBGA小型化封装，在为您提供高效能的同时，也显著优化了整体功耗与电路板空间占用。其宽温工作特性（0°C至95°C）确保了在各类复杂环境下的稳定运行。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或高端嵌入式设备，注入了一剂可靠且强劲的性能催化剂。

• 型号:MT49H32M18BM-33:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18BM-33:B，Micron（美光）产品一站式供应商。