我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

当您的设计需要一颗大容量、高速度的“数据仓库”时，MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR正是您期待的答案。这颗32Gb（4G x 8）的并行NAND闪存芯片，能以高达100MHz的时钟频率与您的系统高效对话，让海量数据的存入与调取瞬间完成，极大提升整体运行效率。

它工作在2.7V~3.6V的宽电压范围，并能在0°C至70°C的环境下稳定运行，为您在各种应用场景中提供坚实的可靠性保障。其紧凑的100-VFBGA表面贴装封装，更能帮助您优化电路板布局，轻松实现产品的小型化与高性能的统一。

• 型号:MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:32Gb
• 存储器组织:4G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。