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还在为移动设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT46H8M32LFB5-5:H TR这颗256Mb移动LPDDR SDRAM芯片，就是为您突破限制而设计的利器。它能以高达200MHz的时钟频率和仅5ns的访问时间，为您的高速应用提供澎湃的数据流，让图形渲染更流畅，多任务处理更高效。

这颗芯片采用先进的低功耗设计，工作电压低至1.7V-1.95V，能显著延长便携式设备的电池续航。其90-VFBGA超薄封装，让您轻松应对紧凑的板级空间挑战。无论是智能手持终端、便携医疗设备还是车载系统，它都能在0°C至70°C的宽温范围内稳定运行，确保您产品的可靠性与卓越体验。

• 制造商产品型号：MT46H8M32LFB5-5:H TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：256Mb（8M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：90-VFBGA
• MT46H8M32LFB5-5:H TR，Micron（美光）产品一站式供应商。