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当您的设计需要一颗在严苛环境下依然能高速、稳定处理数据的“心脏”时，MT46V64M8BN-75 IT:D就是您的理想之选。这颗美光512Mb DDR SDRAM芯片，能以133MHz的时钟频率和并联接口，为您构建高效的数据缓冲区，轻松应对工业控制、通信设备中的实时数据读写挑战。

它能在-40°C至85°C的宽广温度范围内稳定工作，让您的产品无惧环境变化。其2.3V~2.7V的低电压需求和750ps的快速访问时间，在提供强劲性能的同时，也助力您优化系统能效。选择它，就是为您的核心应用选择了一份历经验证的可靠与高效。

• 制造商产品型号：MT46V64M8BN-75 IT:D
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：133MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：750ps
• 电压-供电：2.3V ~ 2.7V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：60-TFBGA
• MT46V64M8BN-75 IT:D，Micron（美光）产品一站式供应商。