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还在为系统数据带宽不足而烦恼吗？MT49H16M36FM-25E:B能彻底改变这一局面。这颗576Mb（16M x 36）并行DRAM，凭借高达400MHz的时钟频率，为您提供疾速的数据吞吐能力，让实时处理海量信息变得轻松自如，极大提升系统响应效率。

它采用先进的1.7V~1.9V低电压设计，在为您实现高性能的同时，显著优化整体功耗，特别适合对能效有严苛要求的嵌入式应用。其宽达0°C至95°C的工作温度范围，确保了在各类复杂环境下的稳定运行，让您的产品可靠性再上一个台阶。

无论是工业控制、网络通信还是医疗设备，这颗144-TFBGA封装的表面贴装芯片，都能以卓越的并行接口性能和经市场验证的成熟品质，高效担当起系统核心缓存的重任，是您打造高性能、高可靠性设备的理想存储伙伴。

• 型号:MT49H16M36FM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M36FM-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。