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MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR 零件图片(仅供参考)

MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR
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MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR 规格参数

还在为设备的多任务卡顿和续航焦虑寻找解决方案吗?MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的32Gb Mobile LPDDR4 DRAM,能以高达2133MHz的速度疾速响应,让您的应用程序加载更快、游戏运行更流畅、4K视频播放毫无压力。

它采用先进的1.1V低电压设计,显著降低系统功耗,有效延长手机、平板等移动设备的电池使用时间。同时,其宽广的-40°C至105°C工作温度范围,确保了从极寒到酷热的各种环境下都能稳定可靠地工作。这颗芯片,就是为助力您的产品实现高性能与高能效的完美平衡而生。

  • 制造商产品型号:MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(1G x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-VFBGA
  • MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D TR 基本参数:

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