我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能轻松驾驭海量数据任务的可靠“大脑”吗？MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的64Gb并行NAND闪存芯片，拥有8G x 8的强劲组织架构，能以高达167MHz的速度进行数据吞吐，让您的设备实现高效、快速的数据读写与存储，彻底释放系统性能。

它采用稳定的2.7V~3.6V供电和132-VBGA表面贴装封装，兼容性强，集成简便。其非易失的特性确保数据在断电后依然安全无虞。无论是用于需要大容量缓冲的工业设备，还是追求响应速度的嵌入式系统，它都能让您的设计游刃有余，轻松应对复杂的数据存储挑战，为产品注入持久可靠的记忆能力。

• 型号:MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。