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您是否在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储解决方案？MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR将彻底改变您对存储性能的认知。这颗512Gb（64GB）的NAND闪存芯片，拥有高达166MHz的时钟频率与并联接口，能让您的设备实现闪电般的数据读写，轻松应对4K视频流、大型数据库或实时系统日志等海量数据吞吐需求。

更重要的是，它专为严苛环境打造。宽广的工作电压范围（2.7V-3.6V）和工业级宽温（-40°C至85°C）特性，让您的产品无论置身于何种挑战之下，都能稳定运行，数据安全无虞。其表面贴装的152-LBGA封装形式，也便于您高效集成到各类高端设计中。选择它，就是为您的产品选择了值得信赖的数据基石。

• 型号:MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:512Gb
• 存储器组织:64G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。