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NAND16GW3B6DPA6F 零件图片(仅供参考)

NAND16GW3B6DPA6F
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NAND16GW3B6DPA6F 规格参数

还在寻找一颗能兼顾大容量、高可靠性与广泛适用性的核心存储芯片吗?NAND16GW3B6DPA6F正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的16Gb NAND闪存芯片,采用成熟的并联接口,让您的设备能够轻松、高效地处理海量数据,无论是程序代码、用户文件还是持续产生的日志信息,都能获得稳定可靠的安身之所。

其2.7V至3.6V的宽电压支持与-40°C至85°C的工业级工作温度范围,意味着它能从容应对车载、工控、户外设备等严苛环境,确保数据存储万无一失。紧凑的114-LFBGA封装为您节省宝贵的电路板空间,让产品设计更加灵活精巧。选择它,就是为您的产品选择了一个强大、耐用且值得信赖的数据基石。

  • Micron美光半导体完整型号:NAND16GW3B6DPA6F
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 16GBIT 114LFBGA
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:闪存
  • 存储器类型:闪存 - NAND
  • 存储容量:16G(2G x 8)
  • 速度:-
  • 接口:并联
  • 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:114-LFBGA
  • 供应商器件封装:114-LFBGA(12x16)
  • NAND16GW3B6DPA6F,Micron(美光)产品一站式供应商。
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NAND16GW3B6DPA6F 基本参数:

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