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还在寻找一颗能同时满足大容量与高速度需求的存储芯片吗？MT29F128G08CBCABH6-6:A TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能以高达166MHz的时钟频率高效运作，为您的高速设备提供澎湃的数据吞吐动力，让系统运行如虎添翼。

它能让您的产品轻松存储海量数据，无论是复杂的程序代码、高清媒体文件还是庞大的用户信息库，都能从容收纳。其2.7V~3.6V的宽电压设计和0°C~70°C的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的出色稳定性和可靠性。选择它，就是为您的设备注入一颗强大、可靠的数据心脏。

• 型号:MT29F128G08CBCABH6-6:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F128G08CBCABH6-6:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。