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还在为系统数据吞吐的瓶颈而烦恼吗？让MT46V32M16BN-5B:C为您彻底解决！这颗512Mb容量的DDR SDRAM芯片，凭借其200MHz的高时钟频率和仅700ps的快速访问时间，能轻松应对海量数据的实时读写需求，让您的设备运行如飞。

它采用2.5V~2.7V低电压工作和并联接口，在显著提升系统带宽与响应速度的同时，还能有效优化能效比。无论是驱动复杂的图形处理、保障流畅的网络通信，还是支撑高速的工业控制，它都能提供稳定、高效的内存支持，是您提升产品性能表现的得力助手。

• 型号:MT46V32M16BN-5B:C
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:32M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:200 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V32M16BN-5B:C，Micron（美光）产品一站式供应商。