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您正在寻找一颗能扛起数据存取重任、让系统运行更流畅的存储芯片吗？MT46V64M8BN-75 L:D正是您的理想之选。这颗美光出品的512Mb DDR SDRAM，凭借133MHz的时钟频率和仅750ps的快速访问时间，能高效处理并行数据流，显著提升您的设备响应速度。

它采用2.5V左右低电压运行和表面贴装设计，帮助您轻松构建更节能、更紧凑的硬件系统。无论是用于数据缓冲、程序运行还是媒体存储，它都能提供稳定可靠的支持，让您的产品性能表现更加出色。

• 型号:MT46V64M8BN-75 L:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:133 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:750 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-75 L:D，Micron（美光）产品一站式供应商。