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还在为嵌入式系统寻找一颗高速、可靠的“数据中转站”吗？MT47H64M16NF-25E AUT:M TR正是您期待的解决方案。这颗1Gb容量的DDR2 SDRAM芯片，能以高达400MHz的速度运行，确保您的处理器无需等待，轻松处理海量数据流，极大提升系统整体响应效率。

它专为严苛环境而生，支持-40°C至125°C的宽温工作范围，并采用1.8V左右低电压供电，在保证强劲性能的同时兼顾能效。无论是工业控制、汽车电子还是通信设备，它都能以稳定的并联接口和高效的存储架构，成为您系统中值得信赖的存储核心，让您的产品设计更加稳健、高效。

• 型号:MT47H64M16NF-25E AUT:M TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:84-FBGA（8x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:400 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:84-TFBGA
• 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
• MT47H64M16NF-25E AUT:M TR，Micron（美光）产品一站式供应商。