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您正在为新一代嵌入式设备寻找一颗既能高速运行又极度节能的“记忆大脑”吗？MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR正是您期待的解决方案。这颗美光出品的256Mb移动LPDDR SDRAM，采用高效的8M x 32位并行接口，能以高达104MHz的时钟频率飞速处理数据，同时其1.7V~1.95V的低电压供电特性，能显著降低系统整体功耗，让您的设备在性能与续航之间取得完美平衡。

它能让您的设计轻松应对各种复杂场景。无论是工业控制中的实时数据处理，还是消费电子中的多媒体播放，其7ns的快速访问时间和15ns的写周期时间，都能确保指令被迅速执行，数据流畅读写，彻底告别卡顿与延迟。其宽温特性（-40°C ~ 85°C）更赋予了产品强大的环境适应性，确保在极端条件下依然稳定可靠。

选择这颗芯片，意味着您选择了一个经过市场验证的高效、可靠的存储核心。它将帮助您简化系统设计，提升产品响应速度与整体能效，最终打造出更具市场竞争力的终端产品。

• 型号:MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:90-VFBGA（8x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量:256Mb
• 存储器组织:8M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:104 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:7 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:90-VFBGA
• 供应商器件封装:90-VFBGA（8x13）
• MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。