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您是否正在寻找一颗能够为高端网络、工业控制或计算设备注入强劲动力的内存解决方案？MT49H16M18CFM-33:B TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的288Mb并行DRAM，拥有300MHz的高时钟频率和仅20ns的快速访问时间，能让您的系统以极高的效率处理海量数据，轻松应对实时性要求苛刻的应用场景。

它采用1.7V-1.9V的低电压运行，在提供出色性能的同时，显著优化了系统的整体能耗，让您的设备更加节能环保。其工业级的工作温度范围（0°C至95°C）和可靠的144-TFBGA表面贴装封装，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份久经考验的性能与可靠性保障。

• 型号:MT49H16M18CFM-33:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:16M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H16M18CFM-33:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。