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还在寻找一颗能兼顾速度、可靠性与能效的嵌入式存储核心吗？NAND512R3A2SN6F就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的512Mb并行NAND闪存芯片，能以高达50ns的页写入和访问时间，为您的高速应用提供澎湃的数据流，让系统响应更加迅捷。

它专为严苛环境设计，支持-40°C至85°C的工业级宽温，并采用1.7V~1.95V低电压工作，让您的设备在极端条件下依然稳定运行，同时显著优化整体功耗。无论是存储程序代码、用户数据还是多媒体内容，它都能让您的产品设计更高效、更可靠。

• 型号:NAND512R3A2SN6F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:50ns
• 访问时间:50 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• NAND512R3A2SN6F，Micron（美光）产品一站式供应商。