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还在为系统数据带宽不够而烦恼吗？让MT49H16M36SJ-18:B为您带来改变！这颗美光出品的576Mb并行DRAM，凭借533MHz的高时钟频率和仅15ns的访问时间，能轻松担当起系统数据高速缓冲的核心角色，让您的数据处理流程快人一步。

它采用1.8V左右低电压供电和144脚TFBGA小型化封装，不仅功耗控制出色，更能帮您优化电路板空间。无论是应对网络设备的数据洪流，还是满足工业控制的实时性要求，它都能提供稳定可靠的高速并行数据通道，让您的产品设计更高效，性能表现更卓越。

• 型号:MT49H16M36SJ-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-18:B，Micron（美光）产品一站式供应商。