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还在为系统数据吞吐速度不够快而发愁吗？MT49H8M36BM-33:B能彻底改变这一局面。这颗美光288Mb并行DRAM，凭借300MHz的高频和20ns的极速访问，专为您的带宽密集型应用而生，让海量数据流转如飞。

它采用144-TFBGA紧凑封装和1.8V左右低电压供电，不仅为您节省宝贵的板级空间，更能实现高效节能。无论是处理复杂的实时算法，还是缓冲高速数据流，它都能让您的设计轻松应对，性能表现始终稳定可靠。

• 型号:MT49H8M36BM-33:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H8M36BM-33:B，Micron（美光）产品一站式供应商。