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NAND256W3A2BN6E 零件图片(仅供参考)

NAND256W3A2BN6E
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NAND256W3A2BN6E 规格参数

您正在寻找一颗能扛重任、让系统数据存储既快又稳的核心芯片吗?NAND256W3A2BN6E正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的256Mb并行NAND闪存,能以50ns的高速完成数据存取,为您的高速应用注入澎湃动力。

它拥有2.7V-3.6V的宽电压适应能力和-40°C至85°C的工业级工作温度范围,让您的设备无论面对复杂的供电环境还是严苛的户外气候,都能保持数据存储的稳定与完整。经典的48-TSOP封装设计,让您在生产贴装时更加轻松便捷。

简而言之,这颗芯片就是为您提供一个高效、可靠且易于集成的非易失存储解决方案,让您能够专注于产品核心功能的开发,而将数据的稳固存储放心交给它。

  • 型号:NAND256W3A2BN6E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:48-TSOP
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:256Mb
  • 存储器组织:32M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:50ns
  • 访问时间:50 ns
  • 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装:48-TSOP
  • NAND256W3A2BN6E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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NAND256W3A2BN6E 基本参数:

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