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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？MT49H32M9BM-33:B正是为您破解这一难题的利器。这颗288Mb并行DRAM，凭借300MHz的高频与20ns的极速访问能力，能轻松胜任高速数据缓冲和实时处理任务，让您的系统运行如飞。

它采用高效的并行接口与1.8V左右的核心电压，在提升数据吞吐效率的同时，兼顾了功耗控制。其宽温工作特性（0°C ~ 95°C）和可靠的BGA封装，确保它在各种严苛环境下都能稳定服役。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠的数据心脏，高效驱动您的应用迈向更高性能层级。

• 型号:MT49H32M9BM-33:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:32M x 9
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:300 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M9BM-33:B，Micron（美光）产品一站式供应商。