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还在为嵌入式系统的数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT46V64M8BN-6 IT:F TR为您带来畅快的数据流体验。这颗美光科技的512Mb DDR SDRAM芯片，凭借其64M x 8的并行接口和高达167MHz的时钟频率，能轻松应对大量数据的实时读写需求，访问时间快至700ps，显著提升您系统的响应速度和处理效率。

它采用紧凑的60-TFBGA表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间。其宽电压（2.3V~2.7V）与宽温（-40°C~85°C）设计，确保了在各种严苛环境下的稳定运行，让您的工业控制、汽车电子或通信设备项目无后顾之忧。选择它，就是为您的核心设备注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT46V64M8BN-6 IT:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA（10x12.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:64M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:167 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:700 ps
• 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-TFBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
• MT46V64M8BN-6 IT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。