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MT44K32M18RB-125E IT:A TR 零件图片(仅供参考)

MT44K32M18RB-125E IT:A TR
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MT44K32M18RB-125E IT:A TR 规格参数

还在为系统内存带宽和容量焦虑吗?MT44K32M18RB-125E IT:A TR将彻底改变您的认知。这颗美光出品的576Mb并行DRAM,凭借800MHz的高频和18位宽数据总线,能为您提供澎湃的数据吞吐能力,轻松应对网络设备、工业控制、汽车电子等领域对高速数据缓存的苛刻需求。

它采用先进的168-TBGA封装,支持表面贴装,集成便捷。1.28V~1.42V的低电压运行不仅高效节能,更拓宽了应用场景。其坚固的设计确保了在-40°C至95°C的极端温度下依然稳定可靠,让您的产品无惧挑战,全天候高效运行。选择它,就是为您的核心系统注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。

  • 制造商产品型号:MT44K32M18RB-125E IT:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:DRAM
  • 存储容量:576Mb(32M x 18)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:10ns
  • 电压-供电:1.28V ~ 1.42V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:168-TBGA
  • MT44K32M18RB-125E IT:A TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的Micron供应商

MT44K32M18RB-125E IT:A TR 基本参数:

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