我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能彻底改变您设备数据吞吐体验的核心存储方案吗？MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1.125Tb并行NAND闪存，以其高达333MHz的时钟频率，为您带来疾风骤雨般的数据读写速度，让海量文件传输、实时系统响应的等待时间大幅缩短，显著提升终端用户体验。

它能让您的设计轻松驾驭从高端网络设备到工业控制系统的各种复杂场景。其宽电压范围（2.5V~3.6V）与稳健的0°C~70°C工作温度，确保了在各种环境下持续可靠的运行。采用272-VFBGA表面贴装封装，不仅节省空间，更让您的生产组装高效便捷。选择它，就是为您的产品注入一颗强大、可靠且高效的数据心脏。

• 制造商产品型号：MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
• MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。