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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E 零件图片(仅供参考)

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E 规格参数

还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗?让MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E为您彻底解决!这颗来自美光科技的32Gb LPDDR4移动DRAM,是专为追求高性能与低功耗平衡的尖端设备设计的核心内存解决方案。

它以高达2133MHz的运行频率和64位宽数据总线,为您带来疾速的数据传输体验,轻松应对多任务处理、高清视频流和大型应用加载,显著提升系统响应速度。同时,其先进的1.1V低电压设计,让您在享受澎湃性能的同时,有效控制整体功耗,延长设备续航。无论是智能手机、平板、二合一笔记本,还是车载系统、物联网设备,它都能让您的产品运行更高效、体验更流畅。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 556WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:556-WFBGA
  • MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E 基本参数:

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