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还在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？NAND02GR3B2DZA6E就是您期待的答案。这颗美光出品的2Gb并行NAND闪存，专为要求严苛的嵌入式环境而生，它能为您稳定、高效地存储系统固件、关键参数或运行日志，是工业控制、汽车电子及网络设备等应用的理想数据仓库。

它采用成熟的并行接口与256M x 8的架构，让您的系统能以高达45ns的速度快速存取数据，大幅提升响应效率。其1.7V~1.95V的低电压特性，助力您设计出更节能的产品；而宽达-40°C至85°C的工作温度范围，则让您的设备无惧酷暑与严寒，在各种极端环境下都能可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:NAND02GR3B2DZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9.5x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9.5x12）
• NAND02GR3B2DZA6E，Micron（美光）产品一站式供应商。