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还在为设备的多任务卡顿和能效比发愁吗？MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR就是您期待的答案。这颗来自美光科技的16Gb LPDDR4移动内存，以高达2133MHz的时钟频率和512M x 32的宽位配置，为您的高速处理器提供充沛且流畅的数据供给，彻底释放设备潜能。

它能让您的智能手机或平板电脑轻松驾驭高清视频流、大型游戏和复杂AI应用，体验前所未有的流畅与迅捷。同时，其1.1V低电压设计和卓越的功耗管理，在提供强大性能的同时，有效延长电池续航，让您的产品在性能和能效之间取得完美平衡。

无论是追求极致的消费电子，还是要求严苛的车载与工业应用，这颗芯片的宽温工作特性（-40°C ~ 125°C）和可靠的200-WFBGA封装，都能确保系统在各种环境下稳定高效运行，是您打造高性能、高可靠性产品的理想之选。

• 制造商产品型号：MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（512M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-40°C ~ 125°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：200-WFBGA
• MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。