我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的内存瓶颈而烦恼吗？MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR就是您突破性能天花板的答案。这颗美光出品的48Gb大容量LPDDR4移动DRAM，能以高达2133MHz的时钟频率高速运转，为您的高端移动设备提供海量、迅捷的数据交换空间，让复杂的多任务处理和应用加载变得前所未有的轻松流畅。

它采用先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，在释放强劲性能的同时，能有效控制能耗，显著提升终端设备的续航能力。其表面贴装的376-WFBGA紧凑封装，非常适合空间受限的现代移动设备设计，帮助您打造更轻薄、更强大的产品。选择它，就是选择了一种高效、可靠的存储解决方案，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 制造商产品型号：MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 48GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：48Gb（768M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。