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还在为存储空间不足或数据吞吐瓶颈而烦恼吗？MT29E1HT08ELHBBG1-3:B将彻底改变您的游戏规则。这颗美光科技的1.5Tb大容量并行NAND闪存芯片，专为应对海量数据存储与高速访问需求设计，让您的设备能够轻松承载庞大的数据库、复杂的AI模型或高码流媒体内容。

它采用可靠的闪存技术，提供非易失性存储，确保数据安全无忧。宽广的2.5V~3.6V工作电压范围赋予您更大的电源设计灵活性，同时兼顾能效。无论是构建企业级存储服务器、高性能计算平台，还是先进的边缘设备，选择它，就是选择了一个高效、稳定且面向未来的存储核心，让您的产品性能飞跃不再受限于存储。

• 制造商产品型号：MT29E1HT08ELHBBG1-3:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29E1HT08ELHBBG1-3:B，Micron（美光）产品一站式供应商。