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还在为系统数据处理的卡顿而烦恼吗？让MT47H512M4THN-3:H来彻底改变这一局面！这颗美光出品的2Gb DDR2 SDRAM芯片，是您提升设备响应速度的秘密武器。它以333MHz的高频和极低的访问延迟，确保您的应用能够轻松驾驭海量数据流，无论是实时控制还是多媒体处理，都能做到迅捷如飞。

它为您提供高达2Gb的并行存储容量，采用高效的1.8V左右低电压运行，显著降低系统功耗。紧凑的63-FBGA封装让您能在有限的空间内实现高性能存储布局。选择它，就是为您的工业控制、网络通讯或消费电子设备注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”，让高效运行成为常态。

• 型号:MT47H512M4THN-3:H
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
• MT47H512M4THN-3:H，Micron（美光）产品一站式供应商。